Sättigungsspannung an Transistorkennlinie

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Bei Fragen zu Hausaufgaben sollte eine Vorleistung erbracht worden sein. Diese auch bei der Anfrage einbringen.

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Sättigungsspannung an Transistorkennlinie

Neuer Beitragvon Cobain am Donnerstag 15. Dezember 2016, 17:00

Hallo zusammen,

ich bin momentan an einer Versuchsauswertung und habe im Internet bezüglich der Sättigungsspannung recherchiert und fand zwei unterschiedliche Methoden diese als Kennlinie zu darzustellen, aber beide zeigen zwei unterschiedliche Bereiche. Ich habe beide in meinem Diagramm eingetragen und würde gerne wissen wieso die eine richtig ist und wieso die andere falsch. Ich habe einmal eine Tangente gezogen die links von sich den Sättigungsbereich zeigen soll und einmal eine Kennlinie mit der Spannung Uce zum jeweiligen Basisstrom in Bleistift.
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Cobain
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Re: Sättigungsspannung an Transistorkennlinie

Neuer Beitragvon anders am Donnerstag 15. Dezember 2016, 23:00

habe imInternet bezüglich der Sättigungsspannung recherchiert und fand zwei unterschiedliche Methoden
Wo?
Ich habe einmal eine Tangente gezogen die links von sich den Sättigungsbereich zeigen soll
Das ist ok. Hier gilt annnähernd das ohmsche Gesetz, insbesondere Uce=0 für Ic=0.
Weil der Leitwert in diesem Bereich proportional zum Basisstrom ist, hat man früher damit z.B. automatische Lautstärkeregler realisiert: Je stärker der Basisgleichstrom, umso stärker wird die Signalwechselspannung durch den als Shunt geschalteten Transistor geschwächt.
Da in diesem Bereich Ic proportional zu Uce ist, treten kaum Verzerrungen der Signalspannung auf.

Die mit Bleistift gezeichnete Linie sieht mir nach einer Diodenkennlinie aus, die sich ergibt, wenn man Basis mit dem Kollektor kurzschliesst. Vielfach stellt ein Transistor, verglichen mit einer gewöhnlichen Sperrschichtdiode, die idealere Diode dar, und er wird deshalb in manchen Schaltungen zur Logarithmierung und Entlogarithmierung verwendet.
Das ist aber nur Mutmaßung, da das Schaltbild des Versuchsaufbaus und die Beschriftung des Diagramms fehlt.
anders
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Re: Sättigungsspannung an Transistorkennlinie

Neuer Beitragvon Cobain am Montag 23. Januar 2017, 14:18

Ist es soweit korrekt dass der widerstand an der raumladungszone zwischen Kollektor und Basis niederohmig ist wenn der maximale kollektorstrom fließt und hochohmig ist wenn gar kein kollektorstrom fließt ???
Cobain
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Re: Sättigungsspannung an Transistorkennlinie

Neuer Beitragvon anders am Montag 23. Januar 2017, 23:00

Da stellt sich die Frage nach den Randbedingungen.

Solange der Transistor nicht in die Sättigung gerät, wenn also mindestens ein paar Volt Kollektorspannung vorhanden sind, ist sein Ausgangswiderstand generell hoch, sinkt aber mit zunehmendem Kollektorstrom.
Der Ausgangsleitwert ist da also gering und proportional zum Kollektorstrom.
https://de.wikipedia.org/wiki/Early-Effekt
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Re: Sättigungsspannung an Transistorkennlinie

Neuer Beitragvon Cobain am Dienstag 24. Januar 2017, 22:15

wie kommt es denn zur Sättigung innerhalb des Transistors. Also genauer gefragt, was passiert in Sättigung in der n-Schicht des Kollektorss, p-Schicht der Basis und der Raumladungszone zwischen Kollektor und Basis genau ??
Cobain
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Re: Sättigungsspannung an Transistorkennlinie

Neuer Beitragvon anders am Mittwoch 25. Januar 2017, 01:25

Das ist in vielen hundert Büchern beschrieben.
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Re: Sättigungsspannung an Transistorkennlinie

Neuer Beitragvon Cobain am Mittwoch 25. Januar 2017, 18:24

achso.
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Re: Sättigungsspannung an Transistorkennlinie

Neuer Beitragvon wastlifo am Freitag 17. März 2017, 13:39

Das ist in vielen hundert Büchern beschrieben.Bild
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Re: Sättigungsspannung an Transistorkennlinie

Neuer Beitragvon anders am Freitag 17. März 2017, 22:15

@wastlifo: Bist du ein Papagei?
anders
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