NF-Verstärker

[einballimwasser]

Das Thema sollte eigentlich nicht einschlafen, aber ich war jetzt drei Tage mit 40°C/W im Bett und wenn ich einen Monitor gesehen hab, haben bei mir die Augen angefangen zu tränen => nix zu sehen

[Stromus]

Gut! Die Berechnungen zu der eigentlichen Endstufe stehen. Wenn Du die Transistoren gewählt hast, poste bitte die Berechnungen noch ein Mal Schritt für Schritt. Das hilft einerseits für die Dokumentation, andererseits um immer wieder das Wissen zu erfrischen.

So wie dargestellt ist die Endstufe noch nicht ganz brauchbar, denn eine Spannungsverstärkung des Eingangspegels liegt noch nicht vor. Diese Aktion ist aber mit einer Erhöhung des Ausgangswiderstandes der zu verstärkenden Signalquelle (Musik). Was auch immer diese Quelle für einen Ausgangswiderstand besitzt, wird dieser durch die Spannungsverstärkung verfälscht, so dass am Ausgang des Spannungsverstärkers ein größerer Ausgangswiderstand stehen wird.
Das ganze soll bedeuten, die verstärkte Spannung kann (aufgrund des Ausgangswiderstandes) nicht direkt an den Widerstand Rvor2 gegeben werden (wie sonst im Bild zu sehen). Das wäre nur dann möglich, wenn der Ausgangswiderstand der Schaltung zur Spannungsverstärkung viel kleiner als Rvor2 wäre (z.B. na klar...ein 10.tel)

Fazit:
wir werden anstelle von Rvor2 einen Transistor mit einem Emitterwiderstand verwenden (also statt Rvor2 ein npn-Transistor mit einem Emitterwiderstand). An dieser Stelle nutzen wir die Eigenschaft des Transistors als Impedanzwandler.

Wenn Du verstanden hast, wie die Berechnerei funktioniert, sollten wir ermitteln, welcher Basisstrom benötigt wird, damit der gleiche Strom (dies mal als Kollektorstrom des eingepflanzten Transistors Ts) zustande kommt wie für den Fall "Rvor2"

Viel Spaß!

[einballimwasser]

Also, die Treibertransistoren können bei diesen Transistoren glaub ich wegfallen...
http://www.ortodoxism.ro/datasheets/mospec/MJ11015.pdf
http://www.ortodoxism.ro/datasheets/mospec/TIP160.pdf
oder sogar/eventuell/vielleicht
http://www.ortodoxism.ro/datasheets/stmicroelectronics/1057.pdf

Ach, und könntest du das doc file bitte mal als bild machen. Ich habe keine Lupe zur vergrößerung.
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[Stromus]

Hmmmmm beim TDA brauchst Du meine Hilfe nicht. Du kannst Dich an die Empfehlung halten

Die anderen Transistoren in einem Gehäuse haben einen Nachteil wegen der Temperatur. Sie sitzen im selben Gehäuse

Deine Entscheidung. Ich bin deshalb darauf gesprungen, weil hier eine Menge Potential bezüglich Transistoren-Verständnis existiert.

[einballimwasser]

also, ich denk ich nehm den MJ11015 und den MJ 11016 ( da lockt mich die hohe Sperrschichtmaximaltemperatur ). Aber ich schaue nochmal, ob sichvielleicht noch ein besserer findet... Die Berechnungen folgen aber erst in absehbarer Zeit, da ich schon wieder für eine arbeit lernen muß

Oder wie wärs mit dem BD250B. Nachteil ist die niedrige Sperrschichttemperatur...

Ich nehm den MJ15003. der scheint mir am geeignetsten.

[einballimwasser]

Also, dann wählen wir für die Ruhespg. der Wiederstände Rob und Runt 400mV und 40mA.
Dh. für einen BD239C Typ mit hfe=2,0A_collector/0,6A_basis=3,3

Ie_Toben=40mA=Ib_Toben*(hfe+1)
=>Ie_Toben=40mA/(3,3+1)
=>Ie_Toben=0,4/4,3
=>Ie_Toben=0,0930232A=9mA

U_Rvor1= V_betrieb-(Ube_Toben+U_Rob)
=>80V-(0,4V+0,4V)
=>80V-0,8V
=>79,2V

So, da bis jetzt bestimmt alles falsch war, hoffe ich jetzt mal auf deine Hilfe Stromus....

Ach, ich versteh´s immer noch net.....Bin zu dumm dazu

[Stromus]

na na na ich habe mir nicht die Mühe mit so viel Text gemacht, damit Du darauf schläfst und ...na ja Stromus wird es schon machen. Sooo nicht!
Du hast eine komplette Anleitung in der Hand. Hinknien, aufmerksam lesen und noch ein mal den letzten Nerv beanspruchen und es wird mit Sicherheit. Woher glaubst Du kommt das Wissen?
Also mach Dich an die Arbeit und vervolge konsequent die Anleitung. Deine Berechnungen zeigen:
1. Du hast nicht alles gelesen, oder gar nichts
2. nicht aufmerksam
3. kein Interesse

Folge: ich höre auf, denn meine Lust wird noch weniger motiviert als am Anfang!

Eine kleine Hilfe leiste ich Dir trotzdem:

Der Transistor "versucht" den Kollktorstrom zu liefern, der durch den Basisstrom abverlangt wird. Mal angenommen es ist ein hfe = 100 (Transistorspezifisch) im Datenblatt angegeben. Das bedeutet, wenn Du einen Basisstrom von 100µA spendierst, so ist der Transistor bereit einen Kollektorstrom von 10mA zu liefern. Wenn die Kollektor-Emitter Spannung hierbei größer als ca. 0,8V ist, dann arbeitet der Transistor in dem sog. aktiven Bereich. Jetzt kann es aber sein, dass Du zwar einen 100µA Basisstrom spendierst, aber durch einen großen Kollektorwiderstand nur einen 1mA Kollektorstrom zulässt. Aufgrund des hfe "versucht" der Transistor das zu liefern, was er kann und öffnet maximal in der Hoffnung, dass die 10mA doch noch zustande kommen. Die Kollektor-Emitterspannung beträgt nur noch einige mV und der Transistor selber ist gesättigt (Schaltbetrieb --> wird verwendet um Lasten Ein- und Auszuschalten)