Einfacher Step Up Konverter? (mit Schaltung)

[Martin67]

Sorry, ich formuliere es mal anders. Könnt ihr mir sagen, warum ihr einen MOSFET einsetzen würdet???

Hallo Reaper,

im ganzen Threadverlauf versucht man Dir bereits zu erklären, dass ein bipolarer Transistor ungeeignet ist um ihn direkt vom NE555 anzusteuern. Auch ein Darlington reicht da noch nicht aus.

Schlagwörter:
Strom bis 10A, Sättigung erforderlich, Stromgesteuerte Stromquelle,
B < 10 bei so hohen Kollektorstrom, IB muss 1-2A betragen...

Sind das nicht Argumente genug, dass Du einen MOSFET einsetzt?
Dieser hat klare Vorteile:
"Leistungslose" Ansteuerung.
Sehr kleiner Drain-Source On-Widerstand.
....

Versuchs mal mit einem BUZ10 oder BUZ11. Achtung! Maximale Drain-Source Spannung ist 50V.

http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet- ... BUZ10.html


Das Problem mit der Speicherdrossel bleibt aber immer noch bestehen!

Edit: Doppelpost mit Anders und das noch auf die Minute!


Gruß

Martin

[Stromus]

Um das ganze Thema nicht zu verkomplizieren:

Bipolartransistor = zu viel Basisstrom aus NE555
Darlington = zwar wenig Strom, aber unnötig Verluste
Mosfet = keine Basisstrom, brauchbare Verluste bedingt nur durch Rdson
IGBT = Alternative zu MOSFET auch ohne Basisstrom mit etwas Verluste

Für Dimensionierung betrachte das Beispiel des Hochsetzstellers und setze Deine Daten ein. ZB:
statt 5V => 12V

[Reaper27374]

Ja danke an euch, ich glaub ich habe es jetzt soweit verstanden! Ich habe mir noch gedacht, mit ner Z-Diode und nem Transistor ein Leerlaufschutz da mit rein zu basteln. Eine Z-Diode an der Basis vom Transistor, der Kollektor am Ausgang des Konverters mit nem kleinem Widerstand und den Emitter auf Masse. Sobald dann z.B. über 25V an der Z-Diode abfallen, fallen ab dann 0,7V am Transistor ab und er öffnet!
Wäre zwar eine Energieverschwendung, aber es bleibt zumindest alles heile


MfG
Reaper27374

[Reaper27374]

Guten Tag,
ich bins wieder und werd nochmal nerven

Ich habe das jetzt soweit aufgebaut und es funktioniert auch alles soweit. Ich benutze immer noch den Darlington Transistor.

So jetzt habe ich noch ein paar Fragen:
1. Soweit ihc das mitbekommen habe, kann ich die Induktivität verkleineren, brauche nur eine höhere Frequenz, um die gleiche Leistung zu bekommen, z.B. 20myH mit ner Frequenz von ca. 50kHz, anstatt 100myH und eine Frequenz von 10kHz, oder?
2. Ich habe vor die Induktivität zu verkleinern, damit der Kern nicht so schnell in Sättigung gerät. Ich hab nämlich gehört, wenn man die Induktivität halbiert, kann der Kern doppelt soviel Strom aufnehmen bis er in Sättigung gerät, d.h. ich kann die Frequenz dann erhöhen und habe dann doppelte Leistung am Ausgang?
3. Habe ich heute ein Mainboard aus einer alten Grabbelkiste gepackt und gemerkt, dass da 4 Spulen sind. Die haben alle wiederum 5 Windungen und 3 Kupferlackdrähte parallel pro Spule, ich denke mal um den Innenwiderstand der Spule zu senken. nun habe ich gleich neben jeder Spule einen recht großen SMD Transistor (oder MOSFETs) gesehen, die aber nicht gekühlt werden müssen und nur handwarm werden, vielleicht noch ein bisschen wärmer. Wie machen die das?

Ich habe mir eine Schaltung mitm NE555gebaut, sodass ich jeweils T aus und T an mit 2 Potis regeln kann, womit ich den Transistor ansteuer.

Danke schon mal im Vorraus
Reaper27374

[Stromus]

Was Du eigentlich benötigst, ist nur die Theorie, die ich Dir geliefert habe + das Beispiel dazu. Ist alles wunderbar beschrieben und wenn Du nicht faul bist, kommst Du damit weiter. Oder brauchst Du alles vorgekaut? Vom Hören/Sagen wird das nichts!