wenn Source über einen Widerstand gen Masse (Uneg) geschaltet wird, hat das Gate gegenüber dem Source-Potential einen negativeren Wert. Das Gate sollte einen hochohmigen (1MOHM) Widerstand gegen Masse erhalten. Kann kein Source-Widerstand eingesetzt werden, muss man mittels bereitgestelltem Negativ-Potential am Gate dafür sorgen, zumindest gilt das für n-Kanal-FETs
ähm, zum "...eingangswiderstand Rg,der parallel zu sourcewiderstand Rs liegt..." <- das ist inkorrekt, denn wenn dem so wäre...wozu dann noch einen FET, wenn Gate und Source damit einen Kurzschluss bilden würden
ach ja, Rg gegen Masse soll für einen definierten Eingangswiderstand sorgen, da ja FETs sehr hochohmig sind, und durch entsprechende Spannungsspitzen auch das Zeitliche segnen könnten.